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Samsung apportera EUV à la RAM DDR5 en 2021, espérons-le à temps pour AMD Zen 4

Aujourd'hui, Samsung a annoncé avoir “livré avec succès un million de premiers modules DRAM DDR4 (double débit 4) de classe 10 nm (D1x) de l'industrie basés sur la technologie ultraviolette extrême (EUV)”. C'est la première entreprise à commencer à adopter cette technologie dans la production de DRAM, et semble assez engagée dans le processus EUV à l'avenir.

Samsung a également annoncé qu'il “prévoyait de commencer la production en volume de DDR5 et LPDDR5 à base de D1a l'année prochaine, ce qui doublerait la productivité de fabrication des plaquettes D1x de 12 pouces”. Cette RAM «basée sur D1a» fait référence à sa classe de mémoire vive dynamique de 10 nm de 4e génération qui sera produite à l'aide de ce processus EUV. Donc, histoire courte: la RAM DDR5 sera fabriquée en utilisant EUV en 2021.

Et cela devrait être ici en 2021 aussi. Samsung répertorie «la production de masse DDR5 / LPDDR5 basée sur EUV de classe 10nm (1a) de 4e génération (1a)» à côté de «2021 (TBD)» dans son tableau chronologique. La mise en garde «TBD» signifie qu'il pourrait encore arriver plus loin, mais il a fixé 2021 comme objectif, et, compte tenu de son cycle de production précédent, nous pouvons au moins être provisoirement confiants qu'il le respectera.

EUV est un type de technologie de fabrication relativement nouveau qui permet des nœuds de processus plus denses et moins de masques et d'étapes de fabrication. Ou, comme le décrit Samsung, «la technologie EUV réduit les étapes répétitives du multi-patterning et améliore la précision du patterning, permettant des performances améliorées et de meilleurs rendements ainsi qu'un temps de développement raccourci.» Temps de développement plus court, rendements supérieurs: de belles choses.

Je dis «relativement» nouveau, cependant, parce que d'autres fabricants testent depuis longtemps les eaux EUV. Par exemple, alors que l'on pense que les processeurs AMD Zen 3 sont désormais fabriqués à l'aide du N7 + de TSMC ou son nœud de processus N7P, l'idée a longtemps été qu'il utiliserait certainement le nœud N7 +, qui utilise la technologie EUV.

Les processeurs AMD Zen 4 utilisant le nouveau nœud de processus 5 nm détaillé de TSMC pourraient sortir dès 2021, à en juger par la feuille de route de la journée des analystes financiers d'AMD (délibérément vague) (avertissement PDF) et les progrès de production toujours impressionnants de TSMC.

Cela signifie que, en 2021, nous pourrions potentiellement voir des processeurs Ryzen 5000 fabriqués par EUV fonctionner avec la RAM DDR5 fabriquée par EUV. Des trucs de fantaisie.

Quoi qu'il en soit, Samsung semble enthousiasmé par EUV, avec Jung-bae Lee, vice-président exécutif des produits et technologies DRAM chez Samsung, déclarant que «cette avancée majeure souligne comment nous continuerons à contribuer à l'innovation informatique mondiale en développant en temps opportun des processus de pointe. technologies et produits de mémoire de nouvelle génération pour le marché de la mémoire premium ».

Les doigts se croisèrent alors pour 2021.